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安装类型	表面贴装
长度	5.45mm
尺寸	5.45 x 5.05 x 0.5mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	22 ns
典型输入电容值@Vds	6030 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	42 nC @ 4.5 V
封装类型	DirectFET MX
高度	0.5mm
晶体管配置	单
宽度	5.05mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	5
最大功率耗散	104 W
最大连续漏极电流	190 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	2.7 mΩ
最大栅阈值电压	2.35V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.35V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.45mm  Infineon 长度 5.45mm  MOSFET 晶体管 长度 5.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 5.45mm   尺寸 5.45 x 5.05 x 0.5mm  Infineon 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 5.45 x 5.05 x 0.5mm   典型关断延迟时间 20 ns  Infineon 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 22 ns  Infineon 典型接通延迟时间 22 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns   典型输入电容值@Vds 6030 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 6030 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6030 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 6030 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 4.5 V   封装类型 DirectFET MX  Infineon 封装类型 DirectFET MX  MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MX  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 DirectFET MX   高度 0.5mm  Infineon 高度 0.5mm  MOSFET 晶体管 高度 0.5mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 0.5mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.05mm  Infineon 宽度 5.05mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.05mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 5  Infineon 引脚数目 5  MOSFET 晶体管 引脚数目 5  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 5   最大功率耗散 104 W  Infineon 最大功率耗散 104 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 104 W   最大连续漏极电流 190 A  Infineon 最大连续漏极电流 190 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 2.7 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 2.7 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.7 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.7 mΩ   最大栅阈值电压 2.35V  Infineon 最大栅阈值电压 2.35V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.35V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.35V  Infineon 最小栅阈值电压 1.35V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.35V  

• IRF6729MPbF, IRF6729MTRPbF, HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode