TK40J60U(F),760-3142,Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40J60U(F), 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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TK40J60U(F)
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40J60U(F), 40 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号:
TK40J60U(F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
760-3142
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TK40J60U(F)产品详细信息
TK40J60U(F)产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.5mm
尺寸
15.5 x 4.5 x 20mm
典型关断延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
120 ns
典型输入电容值@Vds
3400 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs
55 nC @ 10 V
封装类型
TO-3PN
高度
20mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
TK
引脚数目
3
最大功率耗散
320 W
最大连续漏极电流
40 A
最大漏源电压
600 V
最大漏源电阻值
80 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
TK40J60U(F)配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-122, 0.9W/m·K, 28.96 x 20.57mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-122
品牌:
Bergquist
库存编号:
283-3638
搜索
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-122, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-122
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4893
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尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
MOSFET 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm
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典型关断延迟时间 160 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 160 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 160 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 160 ns
典型接通延迟时间 120 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 120 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns
典型输入电容值@Vds 3400 pF@ 10 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 3400 pF@ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3400 pF@ 10 V
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典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V
Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V
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封装类型 TO-3PN
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高度 20mm
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晶体管材料 Si
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晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
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宽度 4.5mm
Toshiba 宽度 4.5mm
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类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
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引脚数目 3
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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TK40J60U(F)产品技术参数资料
Datasheet
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