2SK1829(TE85L,F),760-3114,Toshiba 2SK 系列 N沟道 Si MOSFET 2SK1829(TE85L,F), 50 mA, Vds=20 V, 3引脚 USM封装 ,Toshiba
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2SK1829(TE85L,F)
Toshiba 2SK 系列 N沟道 Si MOSFET 2SK1829(TE85L,F), 50 mA, Vds=20 V, 3引脚 USM封装
制造商零件编号:
2SK1829(TE85L,F)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
760-3114
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SK1829(TE85L,F)产品详细信息
MOSFET N 通道,2SK 系列,Toshiba
2SK1829(TE85L,F)产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.9mm
典型关断延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
1400 ns
典型输入电容值@Vds
5.5 pF@ 3 V
封装类型
USM
高度
0.9mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
2SK
引脚数目
3
最大功率耗散
100 mW
最大连续漏极电流
50 mA
最大漏源电压
20 V
最大漏源电阻值
40 Ω
最大栅阈值电压
1.5V
最大栅源电压
10 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
2SK1829(TE85L,F)相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2mm
Toshiba 长度 2mm
MOSFET 晶体管 长度 2mm
Toshiba MOSFET 晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Toshiba 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
典型关断延迟时间 140 ns
Toshiba 典型关断延迟时间 140 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 1400 ns
Toshiba 典型接通延迟时间 1400 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 1400 ns
Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 1400 ns
典型输入电容值@Vds 5.5 pF@ 3 V
Toshiba 典型输入电容值@Vds 5.5 pF@ 3 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5.5 pF@ 3 V
Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5.5 pF@ 3 V
封装类型 USM
Toshiba 封装类型 USM
MOSFET 晶体管 封装类型 USM
Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 USM
高度 0.9mm
Toshiba 高度 0.9mm
MOSFET 晶体管 高度 0.9mm
Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.9mm
晶体管材料 Si
Toshiba 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Toshiba 宽度 1.25mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
类别 小信号
Toshiba 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
Toshiba MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Toshiba 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 2SK
Toshiba 系列 2SK
MOSFET 晶体管 系列 2SK
Toshiba MOSFET 晶体管 系列 2SK
引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 100 mW
Toshiba 最大功率耗散 100 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 mW
Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 mW
最大连续漏极电流 50 mA
Toshiba 最大连续漏极电流 50 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 mA
Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 mA
最大漏源电压 20 V
Toshiba 最大漏源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V
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最大漏源电阻值 40 Ω
Toshiba 最大漏源电阻值 40 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 Ω
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最大栅阈值电压 1.5V
Toshiba 最大栅阈值电压 1.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V
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最大栅源电压 10 V
Toshiba 最大栅源电压 10 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 10 V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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2SK1829(TE85L,F)产品技术参数资料
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