FC6546010R,760-3091,Panasonic FC 系列 双 N沟道 Si MOSFET FC6546010R, 100 mA, Vds=60 V, 6引脚 SMini6 F3 B封装 ,Panasonic
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FC6546010R
Panasonic FC 系列 双 N沟道 Si MOSFET FC6546010R, 100 mA, Vds=60 V, 6引脚 SMini6 F3 B封装
制造商零件编号:
FC6546010R
制造商:
Panasonic
Panasonic
库存编号:
760-3091
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FC6546010R产品详细信息
N 通道 MOSFET,Panasonic
FC6546010R产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.6mm
典型关断延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
100 ns
典型输入电容值@Vds
12 pF@ 3 V
封装类型
SMini6 F3 B
高度
0.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
隔离式
宽度
1.25mm
类别
小信号
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
系列
FC
引脚数目
6
最大功率耗散
150 mW
最大连续漏极电流
100 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
12 Ω
最大栅阈值电压
1.5V
最大栅源电压
±12 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
FC6546010R相关搜索
安装类型 表面贴装
Panasonic 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Panasonic 长度 2mm
MOSFET 晶体管 长度 2mm
Panasonic MOSFET 晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.6mm
Panasonic 尺寸 2 x 1.25 x 0.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.6mm
Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.6mm
典型关断延迟时间 100 ns
Panasonic 典型关断延迟时间 100 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 ns
Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 100 ns
Panasonic 典型接通延迟时间 100 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 100 ns
Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 100 ns
典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V
Panasonic 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V
Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF@ 3 V
封装类型 SMini6 F3 B
Panasonic 封装类型 SMini6 F3 B
MOSFET 晶体管 封装类型 SMini6 F3 B
Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 SMini6 F3 B
高度 0.6mm
Panasonic 高度 0.6mm
MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.6mm
晶体管材料 Si
Panasonic 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 隔离式
Panasonic 晶体管配置 隔离式
MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.25mm
Panasonic 宽度 1.25mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 1.25mm
类别 小信号
Panasonic 类别 小信号
MOSFET 晶体管 类别 小信号
Panasonic MOSFET 晶体管 类别 小信号
每片芯片元件数目 2
Panasonic 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Panasonic 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Panasonic 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 FC
Panasonic 系列 FC
MOSFET 晶体管 系列 FC
Panasonic MOSFET 晶体管 系列 FC
引脚数目 6
Panasonic 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 150 mW
Panasonic 最大功率耗散 150 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 mW
Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 mW
最大连续漏极电流 100 mA
Panasonic 最大连续漏极电流 100 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA
Panasonic MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 mA
最大漏源电压 60 V
Panasonic 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 12 Ω
Panasonic 最大漏源电阻值 12 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 Ω
Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 Ω
最大栅阈值电压 1.5V
Panasonic 最大栅阈值电压 1.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V
最大栅源电压 ±12 V
Panasonic 最大栅源电压 ±12 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V
最高工作温度 +150 °C
Panasonic 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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FC6546010R产品技术参数资料
FC654601 Silicon N-channel MOS FET Data Sheet
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