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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.25 x 0.8mm
典型关断延迟时间	100 ns
典型接通延迟时间	100 ns
典型输入电容值@Vds	12 pF @ 3 V
封装类型	SMini3 F2 B
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.25mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	FK
引脚数目	3
最大功率耗散	150 mW
最大连续漏极电流	100 mA
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	6 Ω
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±12 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• FK350301 Silicon N channel MOSFET