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安装类型	表面贴装
长度	3.3mm
尺寸	3.3 x 3.3 x 0.75mm
典型关断延迟时间	10.2 ns
典型接通延迟时间	5.9 ns
典型输入电容值@Vds	302 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	5.2 nC @ 10 V
封装类型	MLP
高度	0.75mm
宽度	3.3mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	31 W
最大连续漏极电流	16 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	98 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.3mm  Fairchild Semiconductor 长度 3.3mm  MOSFET 晶体管 长度 3.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.3mm   尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.3 x 3.3 x 0.75mm   典型关断延迟时间 10.2 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 10.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10.2 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10.2 ns   典型接通延迟时间 5.9 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 5.9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.9 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5.9 ns   典型输入电容值@Vds 302 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 302 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 302 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 302 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 10 V   封装类型 MLP  Fairchild Semiconductor 封装类型 MLP  MOSFET 晶体管 封装类型 MLP  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 MLP   高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.75mm  MOSFET 晶体管 高度 0.75mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm   宽度 3.3mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.3mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 31 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 31 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W   最大连续漏极电流 16 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 16 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 16 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 98 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 98 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 98 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 98 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• FDMC8622, PowerTrench 100V N-Channel MOSFET