FDD86250,759-9484,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86250, 8 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86250, 8 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
FDD86250
库存编号：
759-9484
Fairchild Semiconductor FDD86250
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDD86250产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor

FDD86250产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  20 ns  
  典型接通延迟时间  11.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  1585 pF@ 75 V  
  典型栅极电荷@Vgs  23 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  132 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  150 V  
  最大漏源电阻值  45 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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