FDB86102LZ,759-9469,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB86102LZ, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB86102LZ, 30 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号：
FDB86102LZ
库存编号：
759-9469
Fairchild Semiconductor FDB86102LZ
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDB86102LZ产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor

FDB86102LZ产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 11.33 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  18.2 ns  
  典型接通延迟时间  6.6 ns  
  典型输入电容值@Vds  959 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  15.2 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263AB  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  11.33mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  30 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  0.042 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm   典型关断延迟时间 18.2 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 18.2 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18.2 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 18.2 ns   典型接通延迟时间 6.6 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 6.6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.6 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6.6 ns   典型输入电容值@Vds 959 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 959 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 959 pF @ 50 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 959 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 15.2 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 15.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.2 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 15.2 nC @ 10 V   封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-263AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 11.33mm  Fairchild Semiconductor 宽度 11.33mm  MOSFET 晶体管 宽度 11.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 11.33mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 2 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 2 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2 W   最大连续漏极电流 30 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 0.042 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 0.042 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.042 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.042 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB86102LZ产品技术参数资料

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