FDB024N04AL7,759-9462,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FDB024N04AL7
库存编号：
759-9462
Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDB024N04AL7产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDB024N04AL7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.8mm  
  尺寸  10.2 x 4.3 x 10.8mm  
  典型关断延迟时间  71 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  典型输入电容值@Vds  5490 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  84 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  9.4mm  
  宽度  4.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  7  
  最大功率耗散  214 W  
  最大连续漏极电流  219 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  2.4 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
关键词         

FDB024N04AL7配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

FDB024N04AL7相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.8mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.8mm  MOSFET 晶体管 长度 10.8mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.8mm   尺寸 10.2 x 4.3 x 10.8mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.2 x 4.3 x 10.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.2 x 4.3 x 10.8mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.2 x 4.3 x 10.8mm   典型关断延迟时间 71 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 71 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 71 ns   典型接通延迟时间 17 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 17 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns   典型输入电容值@Vds 5490 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 5490 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5490 pF @ 25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5490 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 9.4mm  Fairchild Semiconductor 高度 9.4mm  MOSFET 晶体管 高度 9.4mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 9.4mm   宽度 4.3mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.3mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4.3mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 7  Fairchild Semiconductor 引脚数目 7  MOSFET 晶体管 引脚数目 7  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 7   最大功率耗散 214 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 214 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 214 W   最大连续漏极电流 219 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 219 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 219 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 219 A   最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 2.4 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 2.4 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB024N04AL7产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号