FDB024N04AL7,759-9462,Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
FDB024N04AL7
库存编号:
759-9462
Fairchild Semiconductor FDB024N04AL7
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDB024N04AL7产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

FDB024N04AL7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.8mm  
  尺寸  10.2 x 4.3 x 10.8mm  
  典型关断延迟时间  71 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  典型输入电容值@Vds  5490 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  84 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  9.4mm  
  宽度  4.3mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  7  
  最大功率耗散  214 W  
  最大连续漏极电流  219 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  2.4 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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FDB024N04AL7相关搜索

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电话:400-900-3095
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FDB024N04AL7产品技术参数资料

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