FQB1P50TM,759-9333,Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB1P50TM, 1.5 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FQB1P50TM
库存编号：
759-9333
Fairchild Semiconductor FQB1P50TM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FQB1P50TM产品详细信息

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

FQB1P50TM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  9.65mm  
  尺寸  9.65 x 10.67 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  27 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  270 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  11 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  10.67mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  63 W  
  最大连续漏极电流  1.5 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  10.5 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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FQB1P50TM配套附件

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FQB1P50TM相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 9.65mm  Fairchild Semiconductor 长度 9.65mm  MOSFET 晶体管 长度 9.65mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 9.65mm   尺寸 9.65 x 10.67 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 9.65 x 10.67 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 9.65 x 10.67 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 9.65 x 10.67 x 4.83mm   典型关断延迟时间 27 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 27 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 27 ns   典型接通延迟时间 9 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns   典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 270 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V   封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 D2PAK  MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 宽度 10.67mm  MOSFET 晶体管 宽度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 10.67mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Fairchild Semiconductor 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 63 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 63 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 63 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 63 W   最大连续漏极电流 1.5 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 1.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.5 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.5 A   最大漏源电压 500 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 10.5 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 10.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.5 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 10.5 Ω   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FQB1P50TM产品技术参数资料

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