FDP5800,759-9178,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP5800, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
FDP5800
库存编号：
759-9178
Fairchild Semiconductor FDP5800
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDP5800产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor

FDP5800产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  9.9mm  
  尺寸  9.9 x 4.5 x 15.7mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  37 ns  
  典型输入电容值@Vds  6890 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  112 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  242 W  
  最大连续漏极电流  80 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  7.2 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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