FDFS6N548,759-9116,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFS6N548, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFS6N548, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
FDFS6N548
库存编号:
759-9116
Fairchild Semiconductor FDFS6N548
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDFS6N548产品详细信息

N 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor

设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗

FDFS6N548产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  14 ns  
  典型接通延迟时间  6 ns  
  典型输入电容值@Vds  525 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2 W  
  最大连续漏极电流  7 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  31 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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