FDD6680AS,759-9103,Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD6680AS, 55 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
FDD6680AS
库存编号:
759-9103
Fairchild Semiconductor FDD6680AS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDD6680AS产品详细信息

PowerTrench? SyncFET? MOSFET,Fairchild Semiconductor

设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术,RDS(接通)极低
SyncFET? 得益于高效的肖特基主体二极管
应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关

FDD6680AS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  28 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1200 pF@ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  21 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench, SyncFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  60 W  
  最大连续漏极电流  55 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  16 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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