FDB3502,759-8977,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3502, 14 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号：
FDB3502
库存编号：
759-8977
Fairchild Semiconductor FDB3502
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDB3502产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor

FDB3502产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 11.33 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  13 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  615 pF@ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  11 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263AB  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  11.33mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  41 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  75 V  
  最大漏源电阻值  0.08 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
关键词         

FDB3502配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

FDB3502相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 11.33 x 4.83mm   典型关断延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13 ns   典型接通延迟时间 9 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns   典型输入电容值@Vds 615 pF@ 40 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 615 pF@ 40 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 615 pF@ 40 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 615 pF@ 40 V   典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V   封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-263AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263AB   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  MOSFET 晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 4.83mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 11.33mm  Fairchild Semiconductor 宽度 11.33mm  MOSFET 晶体管 宽度 11.33mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 11.33mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench  MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 41 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 41 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 41 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 41 W   最大连续漏极电流 14 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 14 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 14 A   最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 75 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 75 V   最大漏源电阻值 0.08 Ω  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 0.08 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.08 Ω  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.08 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB3502产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号