FDB2710,759-8961,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
FDB2710
库存编号：
759-8961
Fairchild Semiconductor FDB2710
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDB2710产品详细信息

PowerTrench? N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor

FDB2710产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 11.33 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  112 ns  
  典型接通延迟时间  80 ns  
  典型输入电容值@Vds  5470 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  78 nC @ 10 V  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  11.33mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  PowerTrench  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  260 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  42 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB2710产品技术参数资料

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