FDB14N30TM,759-8949,Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装

制造商零件编号：
FDB14N30TM
库存编号：
759-8949
Fairchild Semiconductor FDB14N30TM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FDB14N30TM产品详细信息

UniFET? N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor

UniFET? MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II? MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。
UniFET? MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

FDB14N30TM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 11.33 x 4.83mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  20 ns  
  典型输入电容值@Vds  815 pF@ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  18 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263AB  
  高度  4.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  11.33mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  UniFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  140 W  
  最大连续漏极电流  14 A  
  最大漏源电压  300 V  
  最大漏源电阻值  0.29 Ω  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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FDB14N30TM配套附件

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDB14N30TM产品技术参数资料

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