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安装类型	表面贴装
长度	1.25mm
尺寸	1.25 x 2 x 0.95mm
典型功率增益	22.5 dB
典型输入电容值@Vds	2 pF @ 6 V
封装类型	USQ
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	消耗
引脚数目	4
最大功率耗散	100 mW
最大连续漏极电流	30 mA
最大漏源电压	12.5 V
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	±8 V
最高工作温度	+125 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.25mm  Toshiba 长度 1.25mm  MOSFET 晶体管 长度 1.25mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 1.25mm   尺寸 1.25 x 2 x 0.95mm  Toshiba 尺寸 1.25 x 2 x 0.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.25 x 2 x 0.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 1.25 x 2 x 0.95mm   典型功率增益 22.5 dB  Toshiba 典型功率增益 22.5 dB  MOSFET 晶体管 典型功率增益 22.5 dB  Toshiba MOSFET 晶体管 典型功率增益 22.5 dB   典型输入电容值@Vds 2 pF @ 6 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 6 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 6 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2 pF @ 6 V   封装类型 USQ  Toshiba 封装类型 USQ  MOSFET 晶体管 封装类型 USQ  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 USQ   高度 0.95mm  Toshiba 高度 0.95mm  MOSFET 晶体管 高度 0.95mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 0.95mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 2mm  Toshiba 宽度 2mm  MOSFET 晶体管 宽度 2mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 2mm   类别 射频 MOSFET  Toshiba 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 消耗  Toshiba 通道模式 消耗  MOSFET 晶体管 通道模式 消耗  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 消耗   引脚数目 4  Toshiba 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 100 mW  Toshiba 最大功率耗散 100 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 mW  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 100 mW   最大连续漏极电流 30 mA  Toshiba 最大连续漏极电流 30 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 mA   最大漏源电压 12.5 V  Toshiba 最大漏源电压 12.5 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12.5 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 12.5 V   最大栅阈值电压 1.5V  Toshiba 最大栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.5V   最大栅源电压 ±8 V  Toshiba 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最高工作温度 +125 °C  Toshiba 最高工作温度 +125 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +125 °C  

• 3SK293,Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type