IPB048N06L G,754-5430,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB048N06L G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB048N06L G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
IPB048N06L G
库存编号：
754-5430
Infineon IPB048N06L G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPB048N06L G产品详细信息

Infineon OptiMOS? 双电源 MOSFET

IPB048N06L G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  98 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  5700 pF @ 30 V  
  典型栅极电荷@Vgs  169 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  5.7 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPB048N06L G产品技术参数资料

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