BSC123N10LS G,754-5305,Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N10LS G, 71 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N10LS G, 71 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号：
BSC123N10LS G
库存编号：
754-5305
Infineon BSC123N10LS G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSC123N10LS G产品详细信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。

BSC123N10LS G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.35mm  
  尺寸  5.35 x 6.1 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  41 ns  
  典型接通延迟时间  18 ns  
  典型输入电容值@Vds  3700 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  51 nC @ 10 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.1mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 2  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  114 W  
  最大连续漏极电流  71 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  16.6 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.4V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSC123N10LS G产品技术参数资料

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