BSC060N10NS3 G,754-5276,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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BSC060N10NS3 G
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC060N10NS3 G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
制造商零件编号:
BSC060N10NS3 G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
754-5276
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSC060N10NS3 G产品详细信息
Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上
BSC060N10NS3 G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5.35mm
尺寸
5.35 x 6.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
20 ns
典型输入电容值@Vds
3700 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
51 nC @ 10 V
封装类型
TDSON
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.1mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
OptiMOS 3
引脚数目
8
最大功率耗散
125 W
最大连续漏极电流
90 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
6 mΩ
最大栅阈值电压
3.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
BSC060N10NS3 G相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5.35mm
Infineon 长度 5.35mm
MOSFET 晶体管 长度 5.35mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 5.35mm
尺寸 5.35 x 6.1 x 1.1mm
Infineon 尺寸 5.35 x 6.1 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5.35 x 6.1 x 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 5.35 x 6.1 x 1.1mm
典型关断延迟时间 45 ns
Infineon 典型关断延迟时间 45 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 20 ns
Infineon 典型接通延迟时间 20 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns
典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 50 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 50 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF @ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V
封装类型 TDSON
Infineon 封装类型 TDSON
MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON
高度 1.1mm
Infineon 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.1mm
Infineon 宽度 6.1mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.1mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 OptiMOS 3
Infineon 系列 OptiMOS 3
MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
引脚数目 8
Infineon 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 125 W
Infineon 最大功率耗散 125 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W
最大连续漏极电流 90 A
Infineon 最大连续漏极电流 90 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 A
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 90 A
最大漏源电压 100 V
Infineon 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 6 mΩ
Infineon 最大漏源电阻值 6 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 mΩ
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6 mΩ
最大栅阈值电压 3.5V
Infineon 最大栅阈值电压 3.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V
Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V
最大栅源电压 ±20 V
Infineon 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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BSC060N10NS3 G产品技术参数资料
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