SPU01N60C3,753-3210,Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装

制造商零件编号:
SPU01N60C3
库存编号:
753-3210
Infineon SPU01N60C3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SPU01N60C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPU01N60C3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.41mm  
  典型关断延迟时间  55 ns  
  典型接通延迟时间  30 ns  
  典型输入电容值@Vds  100 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.9 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-251  
  高度  2.41mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  11 W  
  最大连续漏极电流  800mA  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  6 Ω  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPU01N60C3产品技术参数资料

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