SPP17N80C3,753-3194,Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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SPP17N80C3
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
SPP17N80C3
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
753-3194
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SPP17N80C3产品详细信息
Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET
SPP17N80C3产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.36mm
尺寸
10.36 x 4.57 x 9.45mm
典型关断延迟时间
72 ns
典型接通延迟时间
25 ns
典型输入电容值@Vds
2300 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
88 nC @ 10 V
封装类型
TO-220
高度
9.45mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.57mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
CoolMOS C3
引脚数目
3
最大功率耗散
227 W
最大连续漏极电流
17 A
最大漏源电压
800 V
最大漏源电阻值
290 mΩ
最大栅阈值电压
3.9V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2.1V
关键词
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Wurth Elektronik 930件 铁氧体设计套件 823999
制造商零件编号:
823999
品牌:
Wurth Elektronik
库存编号:
762-2124
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安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.36mm
Infineon 长度 10.36mm
MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.36mm
尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm
Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm
典型关断延迟时间 72 ns
Infineon 典型关断延迟时间 72 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
Infineon 典型接通延迟时间 25 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns
典型输入电容值@Vds 2300 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 2300 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2300 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2300 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V
封装类型 TO-220
Infineon 封装类型 TO-220
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220
高度 9.45mm
Infineon 高度 9.45mm
MOSFET 晶体管 高度 9.45mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.45mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.57mm
Infineon 宽度 4.57mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.57mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 CoolMOS C3
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MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3
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引脚数目 3
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最大功率耗散 227 W
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最大连续漏极电流 17 A
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V
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SPP17N80C3产品技术参数资料
SPP17N80C3, CoolMOS Power Transistor
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