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安装类型	通孔
长度	10.65mm
尺寸	10.65 x 4.85 x 9.83mm
典型关断延迟时间	58.5 ns
典型接通延迟时间	6 ns
典型输入电容值@Vds	490 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	19 nC @ 10 V
封装类型	TO-220FP
高度	9.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.85mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	CoolMOS C3
引脚数目	3
最大功率耗散	31 W
最大连续漏极电流	4.5 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	950 mΩ
最大栅阈值电压	3.9V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2.1V
关键词

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.65mm  Infineon 长度 10.65mm  MOSFET 晶体管 长度 10.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.65mm   尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  Infineon 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm   典型关断延迟时间 58.5 ns  Infineon 典型关断延迟时间 58.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58.5 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58.5 ns   典型接通延迟时间 6 ns  Infineon 典型接通延迟时间 6 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 6 ns   典型输入电容值@Vds 490 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 490 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 490 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FP  Infineon 封装类型 TO-220FP  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP   高度 9.83mm  Infineon 高度 9.83mm  MOSFET 晶体管 高度 9.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.83mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.85mm  Infineon 宽度 4.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 31 W  Infineon 最大功率耗散 31 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W   最大连续漏极电流 4.5 A  Infineon 最大连续漏极电流 4.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.5 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.5 A   最大漏源电压 650 V  Infineon 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 950 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 950 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 950 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 950 mΩ   最大栅阈值电压 3.9V  Infineon 最大栅阈值电压 3.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  

• SPP04N60C3, SPA04N60C3, CoolMOS Power Transistor