IPW60R190C6,753-3074,Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190C6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IPW60R190C6
库存编号：
753-3074
Infineon IPW60R190C6
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPW60R190C6产品详细信息

Infineon CoolMOS?C6/C7 功率 MOSFET

IPW60R190C6产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  典型关断延迟时间  110 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  1400 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  63 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C6  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  151 W  
  最大连续漏极电流  20 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  190 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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IPW60R190C6配套附件

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