BSL306N,753-2790,Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSL306N, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSL306N, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装

制造商零件编号:
BSL306N
库存编号:
753-2790
Infineon BSL306N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSL306N产品详细信息

Infineon OptiMOS?2 功率 MOSFET 系列

Infineon OptiMOS?2 N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 OptiMOS 2 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

BSL306N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 1mm  
  典型关断延迟时间  8.3 ns  
  典型接通延迟时间  4.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  207 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  1.6 nC @ 5 V  
  封装类型  TSOP  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.6mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 2  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  2.3 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  93 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSL306N产品技术参数资料

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