SPB11N60C3,752-8473,Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SPB11N60C3
库存编号：
752-8473
Infineon SPB11N60C3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SPB11N60C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPB11N60C3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.31mm  
  尺寸  10.31 x 9.45 x 4.57mm  
  典型关断延迟时间  44 ns  
  典型接通延迟时间  10 ns  
  典型输入电容值@Vds  1200 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  45 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.57mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.45mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  125 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  0.38 Ω  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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SPB11N60C3配套附件

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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.31mm  Infineon 长度 10.31mm  MOSFET 晶体管 长度 10.31mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.31mm   尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm   典型关断延迟时间 44 ns  Infineon 典型关断延迟时间 44 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 44 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 44 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Infineon 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 45 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Infineon 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.45mm  Infineon 宽度 9.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 11 A  Infineon 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 650 V  Infineon 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 0.38 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.38 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.38 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.38 Ω   最大栅阈值电压 3.9V  Infineon 最大栅阈值电压 3.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPB11N60C3产品技术参数资料

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