SPA06N80C3,752-8451,Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
SPA06N80C3
库存编号：
752-8451
Infineon SPA06N80C3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SPA06N80C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPA06N80C3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.65mm  
  尺寸  10.65 x 4.85 x 9.83mm  
  典型关断延迟时间  72 ns  
  典型接通延迟时间  25 ns  
  典型输入电容值@Vds  785 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  9.83mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.85mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  39 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  800 V  
  最大漏源电阻值  900 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
关键词         

SPA06N80C3配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

SPA06N80C3相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.65mm  Infineon 长度 10.65mm  MOSFET 晶体管 长度 10.65mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.65mm   尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  Infineon 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.65 x 4.85 x 9.83mm   典型关断延迟时间 72 ns  Infineon 典型关断延迟时间 72 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 72 ns   典型接通延迟时间 25 ns  Infineon 典型接通延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 25 ns   典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 785 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4 nC @ 10 V   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220   高度 9.83mm  Infineon 高度 9.83mm  MOSFET 晶体管 高度 9.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 9.83mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.85mm  Infineon 宽度 4.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.85mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 39 W  Infineon 最大功率耗散 39 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 39 W   最大连续漏极电流 6 A  Infineon 最大连续漏极电流 6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6 A   最大漏源电压 800 V  Infineon 最大漏源电压 800 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 800 V   最大漏源电阻值 900 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 900 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 900 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 900 mΩ   最大栅阈值电压 3.9V  Infineon 最大栅阈值电压 3.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SPA06N80C3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号