BSP92P,752-8237,Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92P, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Infineon
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP92P, 260 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装

制造商零件编号:
BSP92P
库存编号:
752-8237
Infineon BSP92P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSP92P产品详细信息

Infineon SIPMOS? P 通道 MOSFET

Infineon SIPMOS? 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。

· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准

BSP92P产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.5mm  
  尺寸  6.5 x 3.5 x 1.6mm  
  典型关断延迟时间  87 ns  
  典型接通延迟时间  5 ns  
  典型输入电容值@Vds  83 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  4.3 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-223  
  高度  1.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  3.5mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SIPMOS  
  引脚数目  3+Tab  
  最大功率耗散  1.8 W  
  最大连续漏极电流  260 mA  
  最大漏源电压  250 V  
  最大漏源电阻值  20 Ω  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSP92P产品技术参数资料

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