BSC080N03LS G,752-8160,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号：
BSC080N03LS G
库存编号：
752-8160
Infineon BSC080N03LS G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

BSC080N03LS G产品详细信息

IInfineon OptiMOS?3 功率 MOSFET，高达 40V

OptiMOS?产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
符合目标应用的 JEDEC1 规格
N 通道，逻辑电平
极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀

BSC080N03LS G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.35mm  
  尺寸  6.35 x 5.35 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  3.3 ns  
  典型输入电容值@Vds  1300 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  7.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS 3  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  2.5 W  
  最大连续漏极电流  53 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  12 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1V  
关键词         

BSC080N03LS G相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.35mm  Infineon 长度 6.35mm  MOSFET 晶体管 长度 6.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.35mm   尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  Infineon 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm   典型关断延迟时间 15 ns  Infineon 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 3.3 ns  Infineon 典型接通延迟时间 3.3 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.3 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.3 ns   典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V   封装类型 TDSON  Infineon 封装类型 TDSON  MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.35mm  Infineon 宽度 5.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS 3  Infineon 系列 OptiMOS 3  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.5 W  Infineon 最大功率耗散 2.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.5 W   最大连续漏极电流 53 A  Infineon 最大连续漏极电流 53 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 53 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 53 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 12 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 12 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 mΩ   最大栅阈值电压 2.2V  Infineon 最大栅阈值电压 2.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1V  Infineon 最小栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

BSC080N03LS G产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号