ZXMHC6A07N8TC,751-5348,DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC6A07N8TC, 1.4 A,1.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex 四 Si N/P沟道 MOSFET ZXMHC6A07N8TC, 1.4 A,1.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
ZXMHC6A07N8TC
库存编号:
751-5348
DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

ZXMHC6A07N8TC产品详细信息

补充增强模式 MOSFET H 桥接,Diodes Inc.

ZXMHC6A07N8TC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  4.9 ns, 5.8 ns  
  典型接通延迟时间  1.6 (P) ns, 1.8 (N) ns  
  典型输入电容值@Vds  141 pF@ -50 V, 166 pF@ 40 V  
  典型栅极电荷@Vgs  3.2 nC @ 10 V,5.1 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  全桥  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  4  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.36 W  
  最大连续漏极电流  1.4 A,1.8 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  350 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
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ZXMHC6A07N8TC产品技术参数资料

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