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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1.3mm
典型关断延迟时间	25 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	160 pF @ -10 V
封装类型	SC-59
高度	1.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.7mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	700 mA
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	450 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-65 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor