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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.4 x 1.1mm
典型输入电容值@Vds	250 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	4.3 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-23
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1.08 W
最大连续漏极电流	2.7 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	215 mΩ
最大栅阈值电压	1.25V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor