DMN4036LK3-13,751-4199,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4036LK3-13, 12.2 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装 ,DiodesZetex
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4036LK3-13, 12.2 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
DMN4036LK3-13
库存编号：
751-4199
DiodesZetex DMN4036LK3-13
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

DMN4036LK3-13产品详细信息

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc

DMN4036LK3-13产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  11.6 ns  
  典型接通延迟时间  3.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  453 pF @ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9.2 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  8.49 W  
  最大连续漏极电流  12.2 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  61 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

DMN4036LK3-13配套附件

  • 产品描述 / 参考图片
  • 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
  • 操作

DMN4036LK3-13相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  DiodesZetex 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  DiodesZetex 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 11.6 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 11.6 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11.6 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 11.6 ns   典型接通延迟时间 3.2 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 3.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.2 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.2 ns   典型输入电容值@Vds 453 pF @ 20 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 453 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 453 pF @ 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 453 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  DiodesZetex 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.39mm  DiodesZetex 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  DiodesZetex 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 8.49 W  DiodesZetex 最大功率耗散 8.49 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8.49 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8.49 W   最大连续漏极电流 12.2 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 12.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12.2 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 12.2 A   最大漏源电压 40 V  DiodesZetex 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 61 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 61 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 61 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 61 mΩ   最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

DMN4036LK3-13产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号