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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	14 ns, 44 ns
典型接通延迟时间	2.5 (N) ns, 3.5 (P) ns
典型输入电容值@Vds	472 pF@ 15 V, 1678 pF@ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	10.5 nC @ 10 V，31.6 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2.1 W
最大连续漏极电流	7.1 A，7.4 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	41 mΩ，45 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  DiodesZetex 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  DiodesZetex 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 14 ns, 44 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 14 ns, 44 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns, 44 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns, 44 ns   典型接通延迟时间 2.5 (N) ns, 3.5 (P) ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 2.5 (N) ns, 3.5 (P) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 (N) ns, 3.5 (P) ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 2.5 (N) ns, 3.5 (P) ns   典型输入电容值@Vds 472 pF@ 15 V, 1678 pF@ -15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 472 pF@ 15 V, 1678 pF@ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 472 pF@ 15 V, 1678 pF@ -15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 472 pF@ 15 V, 1678 pF@ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 10.5 nC @ 10 V，31.6 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 10.5 nC @ 10 V，31.6 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10.5 nC @ 10 V，31.6 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10.5 nC @ 10 V，31.6 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  DiodesZetex 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  DiodesZetex 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  DiodesZetex 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 4mm  DiodesZetex 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N，P  DiodesZetex 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 2.1 W  DiodesZetex 最大功率耗散 2.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 2.1 W   最大连续漏极电流 7.1 A，7.4 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 7.1 A，7.4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.1 A，7.4 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 7.1 A，7.4 A   最大漏源电压 30 V  DiodesZetex 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 41 mΩ，45 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 41 mΩ，45 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 41 mΩ，45 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 41 mΩ，45 mΩ   最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20（N 沟道）V，±20（P 沟道）V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• 30V Complementary Dual Enhancement Mode Mosfet