AUIRFU1010Z,748-1863,Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU1010Z, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFU1010Z, 91 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装

制造商零件编号:
AUIRFU1010Z
库存编号:
748-1863
Infineon AUIRFU1010Z
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

AUIRFU1010Z产品详细信息

汽车 N 通道功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

AUIRFU1010Z产品技术参数

  安装类型  通孔  
  典型关断延迟时间  42 ns  
  典型接通延迟时间  17 ns  
  封装类型  IPAK  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大连续漏极电流  91 A  
  最大漏源电压  55 V  
  最大漏源电阻值  7.5 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
关键词         

AUIRFU1010Z相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   典型关断延迟时间 42 ns  Infineon 典型关断延迟时间 42 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 42 ns   典型接通延迟时间 17 ns  Infineon 典型接通延迟时间 17 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 17 ns   封装类型 IPAK  Infineon 封装类型 IPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 IPAK   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大连续漏极电流 91 A  Infineon 最大连续漏极电流 91 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 91 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 91 A   最大漏源电压 55 V  Infineon 最大漏源电压 55 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V   最大漏源电阻值 7.5 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 7.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.5 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 7.5 mΩ   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Infineon 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号