NTMD5836NLR2G,747-0917,ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 NTMD5836NLR2G, 5.7 A, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 NTMD5836NLR2G, 5.7 A, 9 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
NTMD5836NLR2G
库存编号:
747-0917
ON Semiconductor NTMD5836NLR2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NTMD5836NLR2G产品详细信息

双 N 通道 MOSFET,ON Semiconductor

NTMD5836NLR2G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.5mm  
  典型关断延迟时间  15.5 ns, 26 ns  
  典型接通延迟时间  11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns  
  典型输入电容值@Vds  730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V  
  典型栅极电荷@Vgs  16 nC @ 10 V,36 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.5mm  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  1.9 W, 2.1 W  
  最大连续漏极电流  5.7 A,9 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  16 mΩ,36 mΩ  
  最大栅阈值电压  3V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

NTMD5836NLR2G产品技术参数资料

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