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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.5mm
典型关断延迟时间	15.5 ns, 26 ns
典型接通延迟时间	11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns
典型输入电容值@Vds	730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	16 nC @ 10 V，36 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.5mm
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	1.9 W, 2.1 W
最大连续漏极电流	5.7 A，9 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	16 mΩ，36 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  ON Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.5mm   典型关断延迟时间 15.5 ns, 26 ns  ON Semiconductor 典型关断延迟时间 15.5 ns, 26 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15.5 ns, 26 ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15.5 ns, 26 ns   典型接通延迟时间 11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns  ON Semiconductor 典型接通延迟时间 11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.5 (Q2) ns, 16 (Q1) ns   典型输入电容值@Vds 730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V  ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 730 pF@ 20 V, 2120 pF@ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V，36 nC @ 10 V  ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V，36 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V，36 nC @ 10 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V，36 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  ON Semiconductor 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.5mm  ON Semiconductor 高度 1.5mm  MOSFET 晶体管 高度 1.5mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.5mm   宽度 4mm  ON Semiconductor 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  ON Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ON Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  ON Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 1.9 W, 2.1 W  ON Semiconductor 最大功率耗散 1.9 W, 2.1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W, 2.1 W  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.9 W, 2.1 W   最大连续漏极电流 5.7 A，9 A  ON Semiconductor 最大连续漏极电流 5.7 A，9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.7 A，9 A  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.7 A，9 A   最大漏源电压 40 V  ON Semiconductor 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 16 mΩ，36 mΩ  ON Semiconductor 最大漏源电阻值 16 mΩ，36 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16 mΩ，36 mΩ  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16 mΩ，36 mΩ   最大栅阈值电压 3V  ON Semiconductor 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• NTMD5836NL, Power MOSFET 40V Dual N?Channel SOIC8