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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1.2mm
典型关断延迟时间	13.5 ns
典型接通延迟时间	0.53 ns
典型输入电容值@Vds	900 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	14 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-23
高度	1.2mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1.25 W
最大连续漏极电流	4.9 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	100 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.1mm  Taiwan Semiconductor 长度 3.1mm  MOSFET 晶体管 长度 3.1mm  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.1mm   尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  Taiwan Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm   典型关断延迟时间 13.5 ns  Taiwan Semiconductor 典型关断延迟时间 13.5 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.5 ns  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.5 ns   典型接通延迟时间 0.53 ns  Taiwan Semiconductor 典型接通延迟时间 0.53 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 0.53 ns  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 0.53 ns   典型输入电容值@Vds 900 pF@ 10 V  Taiwan Semiconductor 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 10 V  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 900 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V  Taiwan Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-23  Taiwan Semiconductor 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.2mm  Taiwan Semiconductor 高度 1.2mm  MOSFET 晶体管 高度 1.2mm  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.2mm   晶体管材料 Si  Taiwan Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.7mm  Taiwan Semiconductor 宽度 1.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm   每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Taiwan Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Taiwan Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Taiwan Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.25 W  Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 1.25 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.25 W  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.25 W   最大连续漏极电流 4.9 A  Taiwan Semiconductor 最大连续漏极电流 4.9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4.9 A   最大漏源电压 20 V  Taiwan Semiconductor 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 100 mΩ  Taiwan Semiconductor 最大漏源电阻值 100 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 100 mΩ   最大栅阈值电压 1V  Taiwan Semiconductor 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±12 V  Taiwan Semiconductor 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• TSM2314, 20V N-Channel MOSFET