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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1.2mm
典型关断延迟时间	40 ns
典型接通延迟时间	15 ns
典型输入电容值@Vds	550 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	8.6 nC @ 10 V
封装类型	SOT-23
高度	1.2mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1.25 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	100 mΩ
最大栅阈值电压	1.2V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TSM2310, 20V N-Channel MOSFET