TSM4944DCS RLG,743-6043,Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM4944DCS RLG, 12.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装 ,Taiwan Semiconductor

专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品

关于我们 | 付款方式 | 联系我们

美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

Taiwan Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET TSM4944DCS RLG, 12.2 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：: TSM4944DCS RLG
制造商：: Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
库存编号：: 743-6043

Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor TSM4944DCS RLG

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

TSM4944DCS RLG产品详细信息

Dual N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

TSM4944DCS RLG配套附件

产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作

EPCOS 20A 表面贴装电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号：
B82801B0205A100
品牌：
EPCOS
库存编号：
871-1613
搜索

TSM4944DCS RLG相关搜索

安装类型表面贴装 Taiwan Semiconductor 安装类型表面贴装 MOSFET 晶体管安装类型表面贴装 Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管安装类型表面贴装长度 5mm Taiwan Semiconductor 长度 5mm MOSFET 晶体管长度 5mm Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管长度 5mm 尺寸 5 x 4 x 1.5mm Taiwan Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm MOSFET 晶体管尺寸 5 x 4 x 1.5mm Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管尺寸 5 x 4 x 1.5mm 典型关断延迟时间 40 ns Taiwan Semiconductor 典型关断延迟时间 40 ns MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 40 ns Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管典型关断延迟时间 40 ns 典型接通延迟时间 17 ns Taiwan Semiconductor 典型接通延迟时间 17 ns MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 17 ns Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管典型接通延迟时间 17 ns 典型输入电容值@Vds 2134 pF @ 15 V Taiwan Semiconductor 典型输入电容值@Vds 2134 pF @ 15 V MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 2134 pF @ 15 V Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管典型输入电容值@Vds 2134 pF @ 15 V 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V Taiwan Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V 封装类型 SOIC Taiwan Semiconductor 封装类型 SOIC MOSFET 晶体管封装类型 SOIC Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管封装类型 SOIC 高度 1.5mm Taiwan Semiconductor 高度 1.5mm MOSFET 晶体管高度 1.5mm Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管高度 1.5mm 晶体管材料 Si Taiwan Semiconductor 晶体管材料 Si MOSFET 晶体管晶体管材料 Si Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管晶体管材料 Si 晶体管配置隔离式 Taiwan Semiconductor 晶体管配置隔离式 MOSFET 晶体管晶体管配置隔离式 Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管晶体管配置隔离式宽度 4mm Taiwan Semiconductor 宽度 4mm MOSFET 晶体管宽度 4mm Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管宽度 4mm 类别功率 MOSFET Taiwan Semiconductor 类别功率 MOSFET MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管类别功率 MOSFET 每片芯片元件数目 2 Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 2 MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 2 Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管每片芯片元件数目 2 通道类型 N Taiwan Semiconductor 通道类型 N MOSFET 晶体管通道类型 N Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管通道类型 N 通道模式增强 Taiwan Semiconductor 通道模式增强 MOSFET 晶体管通道模式增强 Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管通道模式增强引脚数目 8 Taiwan Semiconductor 引脚数目 8 MOSFET 晶体管引脚数目 8 Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管引脚数目 8 最大功率耗散 2.3 W Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 2.3 W MOSFET 晶体管最大功率耗散 2.3 W Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大功率耗散 2.3 W 最大连续漏极电流 12.2 A Taiwan Semiconductor 最大连续漏极电流 12.2 A MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 12.2 A Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大连续漏极电流 12.2 A 最大漏源电压 30 V Taiwan Semiconductor 最大漏源电压 30 V MOSFET 晶体管最大漏源电压 30 V Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大漏源电压 30 V 最大漏源电阻值 18 mΩ Taiwan Semiconductor 最大漏源电阻值 18 mΩ MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 18 mΩ Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大漏源电阻值 18 mΩ 最大栅阈值电压 3V Taiwan Semiconductor 最大栅阈值电压 3V MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 3V Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大栅阈值电压 3V 最大栅源电压 ±20 V Taiwan Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最大栅源电压 ±20 V 最低工作温度 -55 °C Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最低工作温度 -55 °C 最高工作温度 +150 °C Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C Taiwan Semiconductor MOSFET 晶体管最高工作温度 +150 °C

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

TSM4944DCS RLG产品技术参数资料

TSM4944D, 30V Dual N-Channel MOSFET

美国1号品牌选型新加坡2号品牌选型

英国2号品牌选型英国10号品牌选型

日本5号品牌选型

ROHM半导体简介 | ROHM产品 | ROHM动态 | 产品应用 | 按产品系列选型 | 按产品规格选型 | ROHM选型手册

Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号