DL2M100N5,742-3356,DAWIN Electronics 双 N沟道 MOSFET 晶体管 DL2M100N5, 100 A, Vds=500 V, 6引脚 6DM-2封装 ,DAWIN Electronics
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DAWIN Electronics 双 N沟道 MOSFET 晶体管 DL2M100N5, 100 A, Vds=500 V, 6引脚 6DM-2封装

制造商零件编号：
DL2M100N5
库存编号：
742-3356
DAWIN Electronics DL2M100N5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

DL2M100N5产品详细信息

500V Dual N-Channel MOSFET

DL2M100N5产品技术参数

  安装类型  螺丝安装  
  长度  66mm  
  尺寸  66 x 34 x 8mm  
  典型关断延迟时间  575 ns  
  典型接通延迟时间  220 ns  
  典型输入电容值@Vds  12000 pF V @ 25  
  典型栅极电荷@Vgs  250 nC V @ 10  
  封装类型  6DM-2  
  高度  8mm  
  宽度  34mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  消耗  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  1000 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  0.06 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DL2M100N5产品技术参数资料

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