FCD9N60NTM,739-6128,Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCD9N60NTM, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCD9N60NTM, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
FCD9N60NTM
库存编号：
739-6128
Fairchild Semiconductor FCD9N60NTM
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FCD9N60NTM产品详细信息

SupreMOS? MOSFET，Fairchild Semiconductor

Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS?。
与 Fairchild 的 600V SuperFET? MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR? 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。

FCD9N60NTM产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.39mm  
  典型关断延迟时间  28.7 ns  
  典型接通延迟时间  13.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  735 pF@ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  17.8 nC @ 10 V  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.39mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SupreMOS  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  92.6 W  
  最大连续漏极电流  9 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  390 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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FCD9N60NTM配套附件

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FCD9N60NTM相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm   典型关断延迟时间 28.7 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 28.7 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 28.7 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 28.7 ns   典型接通延迟时间 13.2 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 13.2 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.2 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13.2 ns   典型输入电容值@Vds 735 pF@ 100 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 735 pF@ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 735 pF@ 100 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 735 pF@ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 17.8 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 17.8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.8 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 17.8 nC @ 10 V   封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 DPAK  MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor 高度 2.39mm  MOSFET 晶体管 高度 2.39mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 2.39mm   晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SupreMOS  Fairchild Semiconductor 系列 SupreMOS  MOSFET 晶体管 系列 SupreMOS  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 SupreMOS   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 92.6 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 92.6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 92.6 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 92.6 W   最大连续漏极电流 9 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 9 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9 A   最大漏源电压 600 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 390 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 390 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 390 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 390 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FCD9N60NTM产品技术参数资料

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