FDMS86104,739-4857,Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86104, 39 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装 ,Fairchild Semiconductor
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FDMS86104
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86104, 39 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
制造商零件编号:
FDMS86104
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4857
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FDMS86104产品详细信息
PowerTrench? N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor
FDMS86104产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 6 x 1.05mm
典型关断延迟时间
14.3 ns
典型接通延迟时间
8 ns
典型输入电容值@Vds
694 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs
11.7 nC @ 10 V
封装类型
Power 56
高度
1.05mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
PowerTrench
引脚数目
8
最大功率耗散
73 W
最大连续漏极电流
39 A
最大漏源电压
100 V
最大漏源电阻值
40 mΩ
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
FDMS86104相关搜索
安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 5mm
Fairchild Semiconductor 长度 5mm
MOSFET 晶体管 长度 5mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm
尺寸 5 x 6 x 1.05mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 6 x 1.05mm
MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 1.05mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 1.05mm
典型关断延迟时间 14.3 ns
Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 14.3 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14.3 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14.3 ns
典型接通延迟时间 8 ns
Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns
典型输入电容值@Vds 694 pF@ 50 V
Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 694 pF@ 50 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 694 pF@ 50 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 694 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 11.7 nC @ 10 V
封装类型 Power 56
Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56
MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56
高度 1.05mm
Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm
MOSFET 晶体管 高度 1.05mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6mm
Fairchild Semiconductor 宽度 6mm
MOSFET 晶体管 宽度 6mm
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6mm
类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Fairchild Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 PowerTrench
Fairchild Semiconductor 系列 PowerTrench
MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 系列 PowerTrench
引脚数目 8
Fairchild Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 73 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 73 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 73 W
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 73 W
最大连续漏极电流 39 A
Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 39 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 39 A
最大漏源电压 100 V
Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 100 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻值 40 mΩ
Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 40 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 40 mΩ
最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
Fairchild Semiconductor 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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FDMS86104产品技术参数资料
MOSFET N Channel 100V 7A 8 Pin MLP EP
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