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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 6 x 1.05mm
典型关断延迟时间	43 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	5525 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	78 nC @ 10 V
封装类型	Power 56
高度	1.05mm
宽度	6mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	89 W
最大连续漏极电流	177 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	2.6 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Fairchild Semiconductor 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 6 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5 x 6 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 6 x 1.05mm   典型关断延迟时间 43 ns  Fairchild Semiconductor 典型关断延迟时间 43 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 43 ns   典型接通延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 5525 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor 典型输入电容值@Vds 5525 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5525 pF @ 15 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 5525 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V   封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor 封装类型 Power 56  MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 Power 56   高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   宽度 6mm  Fairchild Semiconductor 宽度 6mm  MOSFET 晶体管 宽度 6mm  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 6mm   类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Fairchild Semiconductor 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Fairchild Semiconductor 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 89 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 89 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 89 W  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 89 W   最大连续漏极电流 177 A  Fairchild Semiconductor 最大连续漏极电流 177 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 177 A  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 177 A   最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 2.6 mΩ  Fairchild Semiconductor 最大漏源电阻值 2.6 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.6 mΩ  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.6 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MOSFET N Channel 30V 8 Pin Power 56