FDG6301N,739-0170,Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装

制造商零件编号:
FDG6301N
库存编号:
739-0170
Fairchild Semiconductor FDG6301N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FDG6301N产品详细信息

汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。

FDG6301N产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1mm  
  典型关断延迟时间  4 ns  
  典型接通延迟时间  5 ns  
  典型输入电容值@Vds  9.5 pF @ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.29 nC @ 5 V  
  封装类型  SC-70  
  高度  1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.25mm  
  类别  小信号  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  300 mW  
  最大连续漏极电流  220 mA  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  7 Ω  
  最大栅源电压  8 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.65V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FDG6301N产品技术参数资料

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