D5029UK,738-7783,Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D5029UK, 21 A, Vds=125 V, 5引脚 扭杆封装 ,Semelab
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D5029UK
Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D5029UK, 21 A, Vds=125 V, 5引脚 扭杆封装
制造商零件编号:
D5029UK
制造商:
Semelab
Semelab
库存编号:
738-7783
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
D5029UK产品详细信息
RF MOSFET Transistors, Semelab
D5029UK产品技术参数
安装类型
螺丝安装
长度
34.03mm
尺寸
34.03 x 10.16 x 5.08mm
典型输入电容值@Vds
420 pF V @ 50
封装类型
扭杆
高度
5.08mm
宽度
10.16mm
类别
射频 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
5
最大功率耗散
438 W
最大连续漏极电流
21 A
最大漏源电压
125 V
最大栅阈值电压
7V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+200 °C
关键词
D5029UK相关搜索
安装类型 螺丝安装
Semelab 安装类型 螺丝安装
MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
长度 34.03mm
Semelab 长度 34.03mm
MOSFET 晶体管 长度 34.03mm
Semelab MOSFET 晶体管 长度 34.03mm
尺寸 34.03 x 10.16 x 5.08mm
Semelab 尺寸 34.03 x 10.16 x 5.08mm
MOSFET 晶体管 尺寸 34.03 x 10.16 x 5.08mm
Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 34.03 x 10.16 x 5.08mm
典型输入电容值@Vds 420 pF V @ 50
Semelab 典型输入电容值@Vds 420 pF V @ 50
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 420 pF V @ 50
Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 420 pF V @ 50
封装类型 扭杆
Semelab 封装类型 扭杆
MOSFET 晶体管 封装类型 扭杆
Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 扭杆
高度 5.08mm
Semelab 高度 5.08mm
MOSFET 晶体管 高度 5.08mm
Semelab MOSFET 晶体管 高度 5.08mm
宽度 10.16mm
Semelab 宽度 10.16mm
MOSFET 晶体管 宽度 10.16mm
Semelab MOSFET 晶体管 宽度 10.16mm
类别 射频 MOSFET
Semelab 类别 射频 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
Semelab MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
每片芯片元件数目 2
Semelab 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Semelab 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Semelab 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 5
Semelab 引脚数目 5
MOSFET 晶体管 引脚数目 5
Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 5
最大功率耗散 438 W
Semelab 最大功率耗散 438 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 438 W
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最大连续漏极电流 21 A
Semelab 最大连续漏极电流 21 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 21 A
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最大漏源电压 125 V
Semelab 最大漏源电压 125 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 125 V
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最大栅阈值电压 7V
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MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 7V
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最大栅源电压 ±20 V
Semelab 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +200 °C
Semelab 最高工作温度 +200 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
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800152669
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D5029UK产品技术参数资料
RF MOSFET 350W 50V 175MHz Push-Pull DR
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