D2213UK,738-7751,Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D2213UK, 8 A, Vds=40 V, 5引脚 DK封装 ,Semelab
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D2213UK
Semelab 双 N沟道 MOSFET 晶体管 D2213UK, 8 A, Vds=40 V, 5引脚 DK封装
制造商零件编号:
D2213UK
制造商:
Semelab
Semelab
库存编号:
738-7751
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
D2213UK产品详细信息
RF MOSFET Transistors, Semelab
D2213UK产品技术参数
安装类型
螺丝安装
长度
24.76mm
尺寸
24.76 x 6.47 x 4.82mm
典型输入电容值@Vds
48 pF @ 0 V
封装类型
DK
高度
4.82mm
宽度
6.47mm
类别
射频 MOSFET
每片芯片元件数目
2
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
5
最大功率耗散
83 W
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
40 V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+200 °C
关键词
D2213UK相关搜索
安装类型 螺丝安装
Semelab 安装类型 螺丝安装
MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装
长度 24.76mm
Semelab 长度 24.76mm
MOSFET 晶体管 长度 24.76mm
Semelab MOSFET 晶体管 长度 24.76mm
尺寸 24.76 x 6.47 x 4.82mm
Semelab 尺寸 24.76 x 6.47 x 4.82mm
MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 6.47 x 4.82mm
Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 6.47 x 4.82mm
典型输入电容值@Vds 48 pF @ 0 V
Semelab 典型输入电容值@Vds 48 pF @ 0 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 48 pF @ 0 V
Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 48 pF @ 0 V
封装类型 DK
Semelab 封装类型 DK
MOSFET 晶体管 封装类型 DK
Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 DK
高度 4.82mm
Semelab 高度 4.82mm
MOSFET 晶体管 高度 4.82mm
Semelab MOSFET 晶体管 高度 4.82mm
宽度 6.47mm
Semelab 宽度 6.47mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.47mm
Semelab MOSFET 晶体管 宽度 6.47mm
类别 射频 MOSFET
Semelab 类别 射频 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
Semelab MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
每片芯片元件数目 2
Semelab 每片芯片元件数目 2
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2
通道类型 N
Semelab 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Semelab 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 5
Semelab 引脚数目 5
MOSFET 晶体管 引脚数目 5
Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 5
最大功率耗散 83 W
Semelab 最大功率耗散 83 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W
Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W
最大连续漏极电流 8 A
Semelab 最大连续漏极电流 8 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 40 V
Semelab 最大漏源电压 40 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V
最大栅源电压 ±20 V
Semelab 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
Semelab MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最高工作温度 +200 °C
Semelab 最高工作温度 +200 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
邮箱:
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D2213UK产品技术参数资料
RF MOSFET 20W 12.5V 1GHz Push-Pull DK
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