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安装类型	螺丝安装
长度	24.76mm
尺寸	24.76 x 6.35 x 6.6mm
典型输入电容值@Vds	180 pF @ 0 V
封装类型	DM
高度	6.6mm
宽度	6.35mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	4
最大功率耗散	117 W
最大连续漏极电流	30 A
最大漏源电压	40 V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+200 °C
关键词

安装类型 螺丝安装  Semelab 安装类型 螺丝安装  MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装  Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 螺丝安装   长度 24.76mm  Semelab 长度 24.76mm  MOSFET 晶体管 长度 24.76mm  Semelab MOSFET 晶体管 长度 24.76mm   尺寸 24.76 x 6.35 x 6.6mm  Semelab 尺寸 24.76 x 6.35 x 6.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 6.35 x 6.6mm  Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 6.35 x 6.6mm   典型输入电容值@Vds 180 pF @ 0 V  Semelab 典型输入电容值@Vds 180 pF @ 0 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF @ 0 V  Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 180 pF @ 0 V   封装类型 DM  Semelab 封装类型 DM  MOSFET 晶体管 封装类型 DM  Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 DM   高度 6.6mm  Semelab 高度 6.6mm  MOSFET 晶体管 高度 6.6mm  Semelab MOSFET 晶体管 高度 6.6mm   宽度 6.35mm  Semelab 宽度 6.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.35mm  Semelab MOSFET 晶体管 宽度 6.35mm   类别 射频 MOSFET  Semelab 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  Semelab MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Semelab 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Semelab 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Semelab 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 4  Semelab 引脚数目 4  MOSFET 晶体管 引脚数目 4  Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 4   最大功率耗散 117 W  Semelab 最大功率耗散 117 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 117 W  Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 117 W   最大连续漏极电流 30 A  Semelab 最大连续漏极电流 30 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A  Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A   最大漏源电压 40 V  Semelab 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大栅源电压 ±20 V  Semelab 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +200 °C  Semelab 最高工作温度 +200 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C  Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C  

• RF MOSFET 30W 12V 175MHz Single-Ended DM