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安装类型	表面贴装
长度	4.06mm
尺寸	4.06 x 5.08 x 2.18mm
典型输入电容值@Vds	12 pF @ 0 V
封装类型	SOIC
高度	2.18mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.08mm
类别	射频 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	17.5 W
最大连续漏极电流	1 A
最大漏源电压	65 V
最大栅阈值电压	5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+200 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Semelab 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.06mm  Semelab 长度 4.06mm  MOSFET 晶体管 长度 4.06mm  Semelab MOSFET 晶体管 长度 4.06mm   尺寸 4.06 x 5.08 x 2.18mm  Semelab 尺寸 4.06 x 5.08 x 2.18mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.06 x 5.08 x 2.18mm  Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 4.06 x 5.08 x 2.18mm   典型输入电容值@Vds 12 pF @ 0 V  Semelab 典型输入电容值@Vds 12 pF @ 0 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF @ 0 V  Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 12 pF @ 0 V   封装类型 SOIC  Semelab 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 2.18mm  Semelab 高度 2.18mm  MOSFET 晶体管 高度 2.18mm  Semelab MOSFET 晶体管 高度 2.18mm   晶体管材料 Si  Semelab 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Semelab MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Semelab 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Semelab MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.08mm  Semelab 宽度 5.08mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.08mm  Semelab MOSFET 晶体管 宽度 5.08mm   类别 射频 MOSFET  Semelab 类别 射频 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET  Semelab MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Semelab 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Semelab 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Semelab 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Semelab 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 17.5 W  Semelab 最大功率耗散 17.5 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 17.5 W  Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 17.5 W   最大连续漏极电流 1 A  Semelab 最大连续漏极电流 1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A  Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1 A   最大漏源电压 65 V  Semelab 最大漏源电压 65 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 65 V   最大栅阈值电压 5V  Semelab 最大栅阈值电压 5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V   最大栅源电压 ±20 V  Semelab 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +200 °C  Semelab 最高工作温度 +200 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C  Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C  

• RF MOSFET 2.5W 28V 1GHz Single-Ended SO8