D1001UK,738-7648,Semelab Si N沟道 MOSFET D1001UK, 5 A, Vds=70 V, 4引脚 DA封装 ,Semelab
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D1001UK
Semelab Si N沟道 MOSFET D1001UK, 5 A, Vds=70 V, 4引脚 DA封装
制造商零件编号:
D1001UK
制造商:
Semelab
Semelab
库存编号:
738-7648
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
D1001UK产品详细信息
RF MOSFET Transistors, Semelab
D1001UK产品技术参数
安装类型
面板安装
长度
24.76mm
尺寸
24.76 x 9.52 x 6.6mm
典型输入电容值@Vds
60 pF@ 28 V
封装类型
DA
高度
6.6mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
9.52mm
类别
射频 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
4
最大功率耗散
50 W
最大连续漏极电流
5 A
最大漏源电压
70 V
最大漏源电阻值
1 Ω
最大栅阈值电压
7V
最大栅源电压
±20 V
最高工作温度
+200 °C
关键词
D1001UK相关搜索
安装类型 面板安装
Semelab 安装类型 面板安装
MOSFET 晶体管 安装类型 面板安装
Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 面板安装
长度 24.76mm
Semelab 长度 24.76mm
MOSFET 晶体管 长度 24.76mm
Semelab MOSFET 晶体管 长度 24.76mm
尺寸 24.76 x 9.52 x 6.6mm
Semelab 尺寸 24.76 x 9.52 x 6.6mm
MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 9.52 x 6.6mm
Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 24.76 x 9.52 x 6.6mm
典型输入电容值@Vds 60 pF@ 28 V
Semelab 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 28 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 28 V
Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF@ 28 V
封装类型 DA
Semelab 封装类型 DA
MOSFET 晶体管 封装类型 DA
Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 DA
高度 6.6mm
Semelab 高度 6.6mm
MOSFET 晶体管 高度 6.6mm
Semelab MOSFET 晶体管 高度 6.6mm
晶体管材料 Si
Semelab 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Semelab MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Semelab 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Semelab MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 9.52mm
Semelab 宽度 9.52mm
MOSFET 晶体管 宽度 9.52mm
Semelab MOSFET 晶体管 宽度 9.52mm
类别 射频 MOSFET
Semelab 类别 射频 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
Semelab MOSFET 晶体管 类别 射频 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Semelab 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Semelab 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Semelab 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 4
Semelab 引脚数目 4
MOSFET 晶体管 引脚数目 4
Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 4
最大功率耗散 50 W
Semelab 最大功率耗散 50 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W
Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W
最大连续漏极电流 5 A
Semelab 最大连续漏极电流 5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 70 V
Semelab 最大漏源电压 70 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V
Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 70 V
最大漏源电阻值 1 Ω
Semelab 最大漏源电阻值 1 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 1 Ω
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最大栅阈值电压 7V
Semelab 最大栅阈值电压 7V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 7V
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最大栅源电压 ±20 V
Semelab 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最高工作温度 +200 °C
Semelab 最高工作温度 +200 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +200 °C
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D1001UK产品技术参数资料
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