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安装类型	表面贴装
长度	3.04mm
尺寸	3.04 x 2.58 x 1.42mm
典型关断延迟时间	10 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	60 pF V @ 25
封装类型	LCC 1
高度	1.42mm
宽度	2.58mm
类别	小信号
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	300 mW
最大连续漏极电流	200 mA
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	9 Ω
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±40 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Semelab 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Semelab MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.04mm  Semelab 长度 3.04mm  MOSFET 晶体管 长度 3.04mm  Semelab MOSFET 晶体管 长度 3.04mm   尺寸 3.04 x 2.58 x 1.42mm  Semelab 尺寸 3.04 x 2.58 x 1.42mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 2.58 x 1.42mm  Semelab MOSFET 晶体管 尺寸 3.04 x 2.58 x 1.42mm   典型关断延迟时间 10 ns  Semelab 典型关断延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns  Semelab MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns   典型接通延迟时间 10 ns  Semelab 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  Semelab MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 60 pF V @ 25  Semelab 典型输入电容值@Vds 60 pF V @ 25  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF V @ 25  Semelab MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF V @ 25   封装类型 LCC 1  Semelab 封装类型 LCC 1  MOSFET 晶体管 封装类型 LCC 1  Semelab MOSFET 晶体管 封装类型 LCC 1   高度 1.42mm  Semelab 高度 1.42mm  MOSFET 晶体管 高度 1.42mm  Semelab MOSFET 晶体管 高度 1.42mm   宽度 2.58mm  Semelab 宽度 2.58mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.58mm  Semelab MOSFET 晶体管 宽度 2.58mm   类别 小信号  Semelab 类别 小信号  MOSFET 晶体管 类别 小信号  Semelab MOSFET 晶体管 类别 小信号   每片芯片元件数目 1  Semelab 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Semelab MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Semelab 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Semelab MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Semelab 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Semelab MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Semelab 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Semelab MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 300 mW  Semelab 最大功率耗散 300 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW  Semelab MOSFET 晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大连续漏极电流 200 mA  Semelab 最大连续漏极电流 200 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA  Semelab MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA   最大漏源电压 60 V  Semelab 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 9 Ω  Semelab 最大漏源电阻值 9 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9 Ω  Semelab MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9 Ω   最大栅阈值电压 3V  Semelab 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±40 V  Semelab 最大栅源电压 ±40 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±40 V  Semelab MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±40 V   最低工作温度 -55 °C  Semelab 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Semelab MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Semelab 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Semelab MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• MOSFET N-ch 0.2A 60V 5R LCC1